B02N03R EMB02N03HR 30V 100A N-Channel MOSFET EDFN 5x6 

Ürün Kodu: EMB02N03HR 

Ürün Üstü Yazı Kodu (Part Marking): B02N03R 

Marka: Excelliance MOS Corporation 

Paket: EDFN 5x6 (5mm x 6mm) 

EMB02N03HR Datasheet 

Ürün Özellikleri 

EMB02N03HR, Excelliance MOS Corporation tarafından üretilen yüksek performanslı N-Kanal Logic Level Enhancement Mode MOSFETtir. 30V kırılma gerilimi, 100A sürekli akım kapasitesi ve son derece düşük 1.7mΩ RDS(ON) direnci ile güç yönetimi uygulamaları için idealdir. Batarya yönetim sistemleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve yüksek akım anahtarlama devreleri için uygundur. 

• MOSFET Tipi: N-Kanal (N-Channel) 
• Drain-Source Gerilimi (VDSS): 30V 
• Sürekli Drain Akımı (ID): 100A 
• Darbeli Drain Akımı (IDM): 400A 
• Gate-Source Gerilimi (VGS): ±20V 
• Eşik Gerilimi (VGS(th)): 1V ~ 3V (typ 2V) 
• RDS(ON) @ VGS=10V, ID=30A: 1.4mΩ typ / 1.7mΩ max 
• RDS(ON) @ VGS=4.5V, ID=30A: 1.9mΩ typ / 2.6mΩ max 
• Toplam Gate Yükü (Qg) @ VGS=10V: 67nC 
• Toplam Gate Yükü (Qg) @ VGS=4.5V: 32nC 
• Güç Dağılımı (PD): 83W @ TC=25°C 
• Avalanche Enerjisi (EAS): 320mJ 
• Çalışma Sıcaklığı (TJ): -55°C ~ +150°C 
• Özellikler: UIS ve Rg %100 Test Edilmiş, Kurşunsuz (Pb-Free), Halojen İçermez 
• Uygulama Alanları: Batarya Yönetimi, DC-DC Konvertör, Motor Sürücü, Güç Anahtarlama 

Satış Bilgileri

Durumu: SIFIR. Orijinal. 

Kargo (Türkiye): Hafta içi saat 16:00, Cumartesi 14:30'a kadar verilen tüm siparişler aynı gün anlaşmalı kargo ile gönderilmektedir. (Yoğun kargo dönemleri ve olağan dışı durumlar hariç) 

Yurtdışına Gönderim: Hafta içi saat 16:00 öncesi verilen siparişler aynı iş günü Air Parcel ile kargoya verilir. Hafta sonu ve mesai saatleri dışında verilen siparişler, takip eden ilk iş günü kargolanır. (Yoğun dönemler hariç) Gönderim ülkesi Türkiye.