
PE642DT K4 UNIKC Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PDFN 3x3S
Ürün Kodu: PE642DT
Ürün Üstü Yazı Kodu (Part Marking): K4
Marka: UNIKC Semiconductor
Paket Kodu: PDFN 3x3S
Datasheet: PE642DT
Ürün Özellikleri
PE642DT, UNIKC tarafından üretilen Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETtir. PDFN 3x3S paketinde sunulur ve RoHS uyumludur. Düşük RDS(ON) değerleri ile yüksek akım kapasitesi sağlar.
- Fonksiyon: Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET.
- V(BR)DSS: 30V (Q1 & Q2).
- RDS(ON) (Max): Q2: 9mΩ @ VGS=10V / Q1: 10.5mΩ @ VGS=10V.
- Continuous Drain Current (TC=25°C): Q2: 34A / Q1: 31A.
- Continuous Drain Current (TA=25°C): Q2: 11A / Q1: 9.7A.
- Gate-Source Voltage: ±20V.
- Gate Threshold Voltage VGS(th): 1.3V ~ 2.3V (Typ. 1.75V).
- Power Dissipation (TC=25°C): Q2: 20W / Q1: 19W.
- Operating Junction Temperature: -55°C ~ 150°C.
- Paket: PDFN 3x3S, RoHS Compliant.
- Uygulama Alanları: DC-DC converters, load switches, power management, battery protection circuits.
Satış Bilgileri
Durumu: SIFIR. Orijinal.
Garanti Süresi: Yarı iletken ürünlerde garanti verilmemektedir.
Kargo (Türkiye): Hafta içi saat 16:00, Cumartesi 14:30'a kadar verilen tüm siparişler aynı gün anlaşmalı kargo ile gönderilmektedir. (Yoğun kargo dönemleri ve olağan dışı durumlar hariç)
Yurtdışına Gönderim: Hafta içi saat 16:00 öncesi verilen siparişler aynı iş günü Air Parcel ile kargoya verilir. Hafta sonu ve mesai saatleri dışında verilen siparişler, takip eden ilk iş günü kargolanır. (Yoğun dönemler hariç) Gönderim ülkesi Türkiye.






