Menü
Menü
Sepetim
KVKK ve Çerez Uyarısı
Sitemizde sizlere daha iyi hizmet verebilmek için çerezleri kullanıyoruz. Kullanıcı bilgilerinizi KVKK kapsamında kaydedip kullanıyoruz. KVKK aydınlatma metni için buraya tıklayınız.

PE636BA I6 UNIKC 30V N-Channel Enhancement Mode 33A MOSFET PDFN 3x3P

PE636BA I6 UNIKC 30V N-Channel Enhancement Mode 33A MOSFET PDFN 3x3P
PE636BA I6 UNIKC 30V N-Channel Enhancement Mode 33A MOSFET PDFN 3x3P
Hızlı Kargo

Yurtiçi Kargo ile Hafta içi saat 16.30 Cumartesi 14:30' a kadar verdiğiniz tüm siparişler aynı gün kargoda!
* Firmamızdan kargo alım saatleri hafta içi: 16:30-17:45 Cumartesi: 14:00-14:40 arasında değişkenlik göstermektedir.

Hepsijet ile Hafta içi ve 16:00 Cumartesi saat 12:00' a kadar verdiğiniz tüm siparişler aynı gün kargoda!
*Firmamızdan kargo alım saatleri hafta içi: 15:40 16:10 Cumartesi: 12:00 - 14:30 arasında değişkenlik göstermektedir.

*(Yoğun kargo dönemleri hariç)
  • Stok Durumu: Stoklarımızda Mevcut
  • Marka: UNIKC
  • Model: PE636BA
111,00TL
KDV Dahil: 133,20TL

PE636BA I6 xxx UNIKC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PDFN 3x3P


Ürün Kodu: PE636BA

Ürün Üstü Yazı Kodu (Part Marking): I6 *** (I6 ile başlamaktadır devamında gelen üç harf önemli değildir.)

Markası: UNIKC

Paket Kodu: PDFN 3x3P

Datasheet: PE636BA

Ürün Özellikleri

PE636BA, UNIKC tarafından üretilen, yüksek verimlilik sunan bir N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET'tir. 30V'luk bir Vds (drain-source voltage) ve 10V Vgs'de sadece 9mΩ'luk düşük bir Rds(on) direncine sahiptir. Bu özellikleri sayesinde güç anahtarlama (power switching), DC-DC converter ve batarya yönetim sistemleri (battery management systems) gibi uygulamalar için ideal bir çözümdür. Kompakt PDFN 3x3P paketi, yerden tasarruf gerektiren tasarımlarda yüksek performans sağlar.

  • Type: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  • Drain-to-Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A (Tc = 25°C)
  • On-Resistance (Rds(on)): 9mΩ (typ) @ Vgs = 10V, Id = 10A
  • On-Resistance (Rds(on)): 15.5mΩ (max) @ Vgs = 4.5V, Id = 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 1.8V (typ)
  • Total Gate Charge (Qg): 8.3 nC (typ) @ Vgs = 10V
  • Power Dissipation (Pd): 17.8W (Tc = 25°C)
  • Operating Temperature Range: -55°C to 150°C
  • Package: PDFN 3x3P

Satış Bilgileri

Durumu: SIFIR. Orijinal.

Garanti Süresi: Yarı iletken ürünlere garanti verilmemektedir.

Kargo (Türkiye): Hafta içi saat 16:30'a, Cumartesi 14:30'a kadar verilen siparişler aynı gün anlaşmalı kargo ile gönderilmektedir. (Yoğun kargo dönemleri, resmi tatiller ve kargo firmasının çalışmasına engel olabilecek koşullar hariç)

Yurtdışına Gönderim: Hafta içi saat 16:30 öncesi verilen siparişler aynı iş günü Air Parcel ile kargoya verilir. Hafta sonu ve mesai saatleri dışında verilen siparişler, takip eden ilk iş günü kargolanır. (Yoğun dönemler hariç) Gönderim ülkesi Türkiye.

Yorum Yap

Lütfen yorum yazmak için oturum açın ya da kayıt olun.
Etiketler: PE636BA , PE636 , 636BA , I6 , UNIKC , MOSFET , N-Kanal MOSFET , PDFN